这家伙很懒，什么也没写！
领先友商10nn制程整整一代
Intel 10nm制程采用第三代FinFET技术，通过超微缩技术实现业内最高的晶体管密度：
· 最小栅极间距从70nm缩小至54nm，
· 最小金属间距从52nm缩小至36nm，
· 逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，达到之前Intel 14nm制程的2.7倍，大约是业界其他10nm制程的2倍。
相比之前的14nm制程，Intel 10nm制程可实现多达25%的性能提升和45%的功耗降低。全新增强版的10nm制程——10++，可将性能再提升15%并将功耗再降低30%。
A75核心主频超过3GHz
去年8月Intel晶圆代工宣布与Arm达成协议，双方将加速基于10纳米制程的Arm系统芯片开发和应用。Intel在精尖制造日上全球首次展示了Cortex-A75 CPU内核的10nm测试芯片晶圆。
· 采用行业标准设计流程，可实现3.3GHz的性能：
· 在12周内从RTL至首次Tape Out，
· 功耗250uW/MHz。
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